4.バイオ技術によるナス台木等の新品種の育成　(3)イオンビーム照射による変異誘発技術の確立

• 研究機関名: 福岡県農業総合試験場
• 研究分担: バイオテクノロジー部
• 研究期間: 継H15～17
• 年度: 2003
• 摘要: ナス台木の青枯病抵抗性系統を育成するために、ヒラナスの小胞子にイオンビームを照射して突然変異を誘発したのち、純系の植物体を再生させる。イオンビーム照射のための包埋条件、包埋容器及び照射線量等を検討した。小胞子の包埋には、ゲランガム0.2％、φ35mmのプラスチックシャーレが適することが明らかになった。また、C6+イオンビームを1～40Gyの範囲で照射した結果、2Gy以上でカルス形成は急激に低下し、2～5Gyの間でカルス形成率は無照射の50％以下に低下した。20及び40Gyの高線量でも、わずかにカルス形成が認められた。
• 研究対象: ナス台木
• 戦略: 園芸、ゲノム等先端
• 専門: 育種
• 部門: 野菜
• カテゴリ: 青枯れ病 育種 新品種 台木 抵抗性 なす