イチゴの半数体効率的作出法の開発（５８）

• 課題番号: 1995001530
• 研究機関名: 野菜・茶業試験場（野菜茶試）
• 研究分担: 久留米・育種２研
• 研究期間: 継Ｈ０５～Ｈ０９
• 年度: 1995
• 摘要: 花粉のＸ線照射に対する耐性は、栽培イチゴの「とよのか」よりＦ．ｖｅｓｃａ の方が高く、照射花粉の交配による単為発生誘起を目的とする場合には、花粉を不活化しかつある程度生育した胚の得られる線量として、「とよのか」では２００Ｇｙ、Ｆ．ｖｅｓｃａでは５００～６００Ｇｙが適当と考えられた。Ｘ線照射花粉を交配した栽培イチゴでは、子房及び胚珠は外観上正常に発達したが、胚は交配後３週間までに生長を停止した。Ｘ線照射花粉の交配に由来する未熟胚珠から、ＢＡ＋ＮＡＡ及びＮＡＡ＋ＧＡを添加したＭＳ培地によりカルスを誘導した。
• カテゴリ: 育種 いちご 遺伝資源