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イネの白未熟粒関連QTLと高温登熟応答性遺伝子の染色体座乗位置
要約 登熟期の高温によって発現量が変動する遺伝子のうち、GBSSI、BEIIb、PPDKB、α-アミラーゼ等の一部のデンプン代謝関連遺伝子は、白未熟粒の発生程度を制御する量的形質遺伝子座(QTL)の近傍に存在し、高温によ...
- 研究期間
- 2006～2008
- カテゴリ
- 高温耐性 データベース
イネの白未熟粒関連QTLと高温登熟応答性遺伝子の染色体座乗位置
要約 登熟期の高温によって発現量が変動する遺伝子のうち、GBSSI、BEIIb、PPDKB、α-アミラーゼ等の一部のデンプン代謝関連遺伝子は、白未熟粒の発生程度を制御する量的形質遺伝子座(QTL)の近傍に存在し、高温によ...
