タイトル | イネの白未熟粒関連QTLと高温登熟応答性遺伝子の染色体座乗位置 |
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担当機関 | (独)農業・食品産業技術総合研究機構 中央農業総合研究センター |
研究期間 | 2006~2008 |
研究担当者 |
山川博幹 寺尾富夫 蛯谷武志(富山県農総セ) |
発行年度 | 2008 |
要約 | 登熟期の高温によって発現量が変動する遺伝子のうち、GBSSI、BEIIb、PPDKB、α-アミラーゼ等の一部のデンプン代謝関連遺伝子は、白未熟粒の発生程度を制御する量的形質遺伝子座(QTL)の近傍に存在し、高温による白未熟粒発生程度を制御する遺伝子である可能性が高い。 |
キーワード | イネ、高温登熟、遺伝子発現、白未熟粒、QTL |
背景・ねらい | イネの高温登熟障害による白未熟粒の発生は全国的に問題となっており、高温耐性を付与する遺伝子座の特定を目指して、量的形質遺伝子座(QTL)解析が行われており、その原因遺伝子の同定が期待されている。一方、デンプンおよび貯蔵タンパク質の蓄積に関与する登熟代謝関連遺伝子の高温に対する発現の変化が解析され、発現量が増加もしくは減少する遺伝子の存在が明らかとなっている(発表論文1)が、それらの遺伝子と白未熟粒の発生程度との関連性は不明である。 そこで、白未熟粒の発生程度を制御するQTLと上記の登熟代謝関連遺伝子の両方について、同一の染色体物理地図上に位置づけることによって、高温耐性に関与するQTLの近傍に存在する候補遺伝子情報を提供する。 |
成果の内容・特徴 |
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成果の活用面・留意点 |
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図表1 | ![]() |
図表2 | ![]() |
カテゴリ | 高温耐性 データベース |